规格书 |
NGB8206N,AN |
标准包装 | 700 |
IGBT 型 | - |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 390V |
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 | 1.9V @ 4.5V, 20A |
集电极电流(Ic)(最大) | 20A |
当前 - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
功率 - 最大 | 150W |
Switching 能源 | - |
输入 型 | Logic |
栅极电荷 | - |
Td(开/关)@ 25°C | -/5µs |
测试条件 | 300V, 9A, 1 kOhm, 5V |
反向恢复时间(trr) | - |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
安装类型 | Surface Mount |
供应商器件封装 | D2PAK |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 20A |
安装类型 | Surface Mount |
标准包装 | 700 |
时间Td(开/关) @ 25°C | -/5µs |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 1.9V @ 4.5V, 20A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 390V |
供应商设备封装 | D2PAK |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 150W |
输入类型 | Logic |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
测试条件 | 300V, 9A, 1 kOhm, 5V |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 50A |
栅极 - 射极漏泄电流 | 350 uA |
连续集电极电流在25 C | 20 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 390 V |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 150 W |
最大栅极发射极电压 | 15 V |
最低工作温度 | - 55 C |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
输入类型 | Logic |
测试条件 | 300V, 9A, 1 kOhm, 5V |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 50A |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V, 20A |
Td (on/off) A 25°C | -/5µs |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
功率 - 最大值 | 150W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 390V |
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