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厂商型号

NGB8206ANTF4G 

产品描述

IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3

内部编号

277-NGB8206ANTF4G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:2800
1+¥13.6378
25+¥12.7132
100+¥12.1739
500+¥11.7116
1000+¥11.0952
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4900
最小起订金额:¥₩600
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NGB8206ANTF4G产品详细规格

规格书 NGB8206ANTF4G datasheet 规格书
NGB8206N,AN
NGB8206ANTF4G datasheet 规格书
标准包装 700
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 390V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 1.9V @ 4.5V, 20A
集电极电流(Ic)(最大) 20A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 50A
功率 - 最大 150W
Switching 能源 -
输入 型 Logic
栅极电荷 -
Td(开/关)@ 25°C -/5µs
测试条件 300V, 9A, 1 kOhm, 5V
反向恢复时间(trr) -
包装材料 Tape & Reel (TR)
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型 Surface Mount
供应商器件封装 D2PAK
电流 - 集电极( Ic)(最大) 20A
安装类型 Surface Mount
标准包装 700
时间Td(开/关) @ 25°C -/5µs
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.9V @ 4.5V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 390V
供应商设备封装 D2PAK
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 150W
输入类型 Logic
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 300V, 9A, 1 kOhm, 5V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 50A
栅极 - 射极漏泄电流 350 uA
连续集电极电流在25 C 20 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 390 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 150 W
最大栅极发射极电压 15 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant
输入类型 Logic
测试条件 300V, 9A, 1 kOhm, 5V
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 50A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 1.9V @ 4.5V, 20A
Td (on/off) A 25°C -/5µs
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
功率 - 最大值 150W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20A
电压 - 集射极击穿(最大值) 390V

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